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XP133A1330SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP133A1330SR
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内容描述: N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 189 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP133A1330SR
.Electrical特点
DC特性
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS(ON)
条件
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS =
±
8V , VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 3A , VGS = 4.5V
漏源导通电阻
(注)
正向转移导纳
(注)
续流保护二极管
正向电压
(注) :脉冲测试期间有效。
ID = 3A , VGS = 2.5V
ID = 1A , VGS = 1.5V
| YFS |
Vf
ID = 3A , VDS = 10V
如果= 6A , VGS = 0V
0.5
0.025
0.03
0.045
20
0.85
1.1
典型值
最大
10
±
1
Ta=25°C
单位
µA
µA
V
S
V
1.2
0.03
0.04
0.07
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
条件
VDS = 10V , VGS = 0V
F = 1 MHz的
典型值
950
430
180
最大
Ta=25°C
单位
pF
pF
pF
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 3A
VDD = 10V
条件
典型值
15
20
80
15
最大
Ta=25°C
单位
ns
ns
ns
ns
11
热特性
参数
热阻
(信道环境)
符号
的Rth (章-a)的
条件
实现在玻璃环氧
树脂板
典型值
62.5
最大
单位
°C
/ W
768