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T436416A-8S 参数 Datasheet PDF下载

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型号: T436416A-8S
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内容描述: 4M ×16 SDRAM [4M X 16 SDRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 710 K
品牌: TMT [ TAIWAN MEMORY TECHNOLOGY ]
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TE  
tmCH  
T436416A  
Active/ Precharge Power Down Mode @ CAS latency = 2, Butsr length = 4  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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18  
19  
S S  
C L O C K  
C K E  
C S  
S S  
S S  
*N ote2  
tss  
tss  
tss  
*N ote1  
S S  
*N ote3  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
R A S  
C A S  
A D D R  
B A  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
R a  
C a  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
S S  
A 10/A P  
D Q  
R a  
tSH Z  
S S  
S S  
Q a0 Q a1 Q a2  
S S  
S S  
S S  
S S  
W E  
S S  
S S  
S S  
S S  
D Q M  
R o w A ctiv e  
R ead  
P recharge  
P ow er-  
P recharge  
A ctive  
A ctive  
P ow er-  
D ow n E xit  
P recharge  
P ow er-  
P ow er-  
D ow n E ntry  
D ow n E ntry  
D ow n E xit  
:D on't care  
*Note : 1. Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.  
2. CKE should be set high at least 1CLK+tSS prior to Row active command.  
3. Can not violate minimum refresh specification.(64ms)  
TM Technology Inc. reserves the right  
to change products or specifications without notice.  
P.26  
Publication Date: MAY. 2003  
Revision: B  
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