SLVS839B - 2008年7月 - 修订2008年10月
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输出电压的限制
由于TPS54331的内部设计，有上下两个输出电压限制为任何给定的
输入电压。的输出电压设定点的上限是由91％的最大占空比限制的
和由下式给出
V
OMAX
= 0.91 ×
(
(
V
在MIN
-
I
o最大
× R
DSON最大
)
+ V
D
)
-
(
I
o最大
× R
L
)
-
V
D
(31)
其中：
V
在MIN
=最小输入电压
I
o最大
=最大负载电流
V
D
=钳位二极管的正向电压
R
L
=输出电感的串联电阻
该公式假设导通电阻为内部高侧FET最大。
下限被按时其可以高达130纳秒约束的最小可控。该
近似的最小输出电压对于给定的输入电压和最小负载电流由下式给出
V
OMIN
= 0.089
´
(
(
V
在MAX
-
I
OMIN
´
凛
)
+ V
D
)
-
(
I
Ø分钟
´
R
L
)
-
V
D
(32)
其中：
V
在MAX
=最大输入电压
I
Ø分钟
=最小负载电流
V
D
=钳位二极管的正向电压
R
L
=输出电感的串联电阻
该公式假定标称导通电阻的高侧FET和占最坏情况的变化
工作频率设定点。任何设计邻近该装置的操作限制操作，应仔细
检查，以确保适当的功能。
功耗估计
下面的公式显示了如何估计在连续导通模式下，器件的功耗
操作。如果该设备是工作在连续导通模式（DCM）它们不应该被使用，或者
脉冲跳跃生态模式
TM
.
该器件的功耗，包括：
1 ）导通损耗： PCON =电流输出
2
X的Rds（on ）× VOUT / VIN
2 ）开关损耗： PSW = 0.5 ×10
-9
X VIN
2
X IOUT X FSW
3 ）栅极电荷损耗： PGC = 22.8 ×10
-9
X FSW
4 ）静态电流损耗： PQ = 0.11 ×10
-3
X VIN
其中：
IOUT为输出电流（ A） 。
的Rds（on ）为高侧MOSFET （ Ω ）的导通电阻。
VOUT是输出电压（V） 。
VIN是输入电压（V） 。
fsw的是开关频率（Hz） 。
So
P合计= PCON + PSW + PGC + PQ
对于给定的牛逼
A
, T
J
= T
A
+ Rth的X P合计。
对于给定的牛逼
JMAX
= 150℃ ，T
AMAX
= T
JMAX
- Rth的X P合计。
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