SLVS631B - 2005年12月 - 修订SEPTEMBER 2009......................................................................................................................................
www.ti.com
详细说明（续）
PWM频率和自适应导通时间控制
该TPS51117采用自适应导通时间控制方案，不会对主板专用的振荡器。
然而，该装置通过模拟一个恒定频率馈转发所述输入和输出电压进
导通时间单稳态定时器。的接通时间被控制反比于输入电压，并正比于
的输出电压，从而使占空比保持为V
OUT
/V
IN
在技术上具有相同的周期时间。
示出了关于时间的简化计算。
T
ON
+
19
10
*12
(2 3)V
R
吨
)
100毫伏
OUT
V
IN
)
50纳秒
(3)
此处，R
吨
从TON引脚连接到LL节点的外部电阻。在该等式中， 19 pF的代表
内部定时电容在TON引脚一些典型的寄生电容。另外， 50毫微秒是关断
延迟时间贡献的内部电路与该高侧MOSFET的。虽然这个公式提供了一个
良好的近似，开始时，在精度依赖于高侧MOSFET的每个设计和选择。
表示R的关系
吨
到所述切换频率。
700
600
V
IN
= 15 V,
V
OUT
= 2.5 V,
PWM
500
的F - 频率 - 千赫
400
300
200
100
0
100
200
300
400
R
吨
- k
W
500
600
图1.开关频率VS ř
吨
该TPS51117不具有连接到VIN的销，但输入电压信息来自开关
节点（LL节点）中的
ON
状态。的LL监控的优点在于，在高侧NFET的损失是现在
导通时间的计算的一部分，从而使频率与负载更加稳定。
关于频率的另一个考虑是抖动。抖动可能由很多原因造成的，但接通时间常数
D- CAP模式方案具有固有抖动的某些量。由于输出电压纹波高度在范围
几个几十毫伏。在反馈信号中的噪声的毫伏顺序可以由几个影响频率
到10 ％左右。这是正常操作，并具有小伤害到电源的性能。
低侧驱动器
低边驱动器设计用于驱动高电流，低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET （多个） 。驱动能力
通过其内部电阻，这是5表示
Ω
对于V5DRV到DRVL和1.5
Ω
对于DRVL至PGND 。一个死
时间，以防止通过高侧MOSFET之间内部产生的拍客，以低边MOSFET的导通，
边和低边MOSFET关断，以高边MOSFET 。一个5 V偏压从V5DRV供应交付。该
平均驱动电流是通过在V FET栅极电荷计算
gs
= 5伏时间的开关频率。该
瞬时驱动电流，由输入电容连接V5DRV和GND之间供给。
8
产品文件夹链接（ S） ： TPS51117
版权所有©2005-2009 ，德州仪器
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
