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SLVS631B - 2005年12月 - 修订2009年9月
详细说明（续）
高侧驱动器
高边驱动器设计用于驱动高电流，低R
DS （ ON）
N沟道MOSFET （多个） 。当配置为
浮动驱动， 5 -V的偏置电压是由V5DRV供给递送。一个内部的PN二极管连接之间
V5DRV到VBST 。设计者可以添加外部肖特基二极管若正向压降是非常关键的，以驱动高侧
NFET或达到最后一％的效率改进。的平均驱动电流还估计由
在V栅极电荷
gs
= 5伏时间的开关频率。瞬时驱动电流是由供给
在VBST引脚和LL脚之间跨接电容器。的驱动能力是由它的内部电阻来表示，
这是5
Ω
为VBST到DRVH和1.5
Ω
对于DRVH到LL 。
软启动
该TPS51117有一个内部的， 1.2毫秒，电压伺服软启动与过流限制。当EN_PSV销
变高时，内部的DAC开始逐步提高基准电压的误差放大器。流畅的控制
输出电压在启动过程中保持不变。
POWERGOOD
该TPS51117具有电源良好输出。 PGOOD是漏极开路7.5 mA下拉输出。该引脚应
通常连接到一个5 V电源节点通过一个100 kΩ的电阻。电源良好功能被激活
之后，软启动结束。如果输出电压变为内的靶值的± 5％时，内部
比较器检测到电源良好状态，并在64 μs内部延时后的电源良好信号变高。如果
输出电压超越±目标值的10％，则电源良好信号立即变低。
输出放电控制（ SOFTSTOP ）
该TPS51117的输出放电时EN_PSV不足或转换器处于故障状态（ UVP ， OVP ，
UVLO或热关断） 。使用内部20 Ω MOSFET这是TPS51117的输出放电
连接到VOUT和PGND 。放电时间常数是输出电容的函数，并且
放电晶体管的电阻。
过流限制
该TPS51117具有逐周期过流限制控制。电感电流在监视
关闭
状态
并且控制器保持
关闭
状态时，电感电流过电流跳闸水平较大。为了
同时提供良好的精度和具有成本效益的解决方案，该TPS51117支持温度补偿
MOSFET ř
DS （ ON）
感应。该TRIP管脚应该连接到GND之间的跳变电压设定电阻，
R
旅
。该TRIP端源10 μA我
旅
电流和断路电平被设置为所述OCL跳闸电压V
旅
作为
下面的等式。
V
（毫伏）
+
R
（千瓦） 10 （毫安）
旅
旅
(4)
电感电流通过的PGND引脚和LL引脚上的电压监测，以便在LL引脚应
连接到低侧MOSFET的漏极端子。我
旅
拥有4500 PPM / ° C的温度系数
补偿的R的温度依赖性
DS （ ON）
。保护地被用作正的电流检测节点，以便
保护地应连接到下面的MOSFET的源极端子。
作为比较，在完成
关闭
状态，V
旅
设置了电感器电流的谷水平。因此，负载
电流过流阈值，我
OCP
可以计算如下：
IOCP
+
V
R
)
I
2
+
旅
)
TRIP DS （ ON）
纹波
2
R
DS （ ON）
V
1
L
V
ƒ
IN
*
V
OUT
V
IN
V
OUT
(5)
在过流情况下，给负载的电流超过给因而输出电容的输出电流
电压趋于下降。最终它穿过欠压保护阈值和关闭。
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产品文件夹链接（ S） ： TPS51117
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