SNAS534B - 1999年5月 - 修订2013年3月
电气特性
V
REF
=10.000 V
DC
除非另有说明。
黑体字限额适用于温度T
民
≤T
A
≤T
最大
.
(1)
对于所有其他限制
T
A
=25°C.
符号
参数
条件
SEE
记
V
CC
=15.75 V
DC
典型值
(2)
经过测试
极限
(3)
V
CC
=12 V
DC
±5%
到15 V
DC
±5%
设计极限
(4)
V
CC
=4.75 V
DC
典型值
(2)
经过测试
极限
(3)
V
CC
=5
V
DC
±5%
设计
极限
(4)
极限
单位
AC特性
(5)
t
s
t
W
当前设置
时间
写和XFER
脉冲宽度最小
t
DS
数据建立时间
民
t
DH
数据保持时间
民
t
CS
控制设置
时间
民
t
CH
控制保持时间
民
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
V
IL
=0V, V
IH
=5V
SEE
(
1)
V
IL
=0V, V
IH
=5V
V
IL
=0V, V
IH
=5V
SEE
(
5)
1.0
100
250
320
100
250
320
320
320
1.0
375
600
900
375
600
900
50
50
600
320
10
0
900
1100
0
0
1100
900
900
μs
SEE
(
1)
V
IL
=0V, V
IH
=5V
SEE
(
1)
V
IL
=0V, V
IH
=5V
SEE
1)
(
30
30
ns
V
IL
=0V, V
IH
=5V
SEE
1)
(
110
250
320
0
0
0
粗体
测试限制仅适用于在LJ和LCJ后缀部分。
标准被定在25℃，代表最可能的参数指标。
测试的限制，以确保TI的AOQL （平均出厂质量水平） 。
保证，但不是100 ％生产测试。这些限制不用于计算呼出的质量水平。
全写入脉冲必须在有效数据区间内发生指定吨
W
, t
DS
, t
DH
和叔
S
以应用。
开关波形
封装脚位排列的定义
控制信号的
（所有的控制信号电平驱动）
CS ：
ILE ：
芯片选择
（低有效）。在CS与ILE将使WR组合
1
.
输入锁存使能
（高电平有效） 。与CS相结合的ILE使WR
1
.
WR
1
：写1 。
该低电平有效WR
1
用于加载所述数字输入数据比特（DI）到输入锁存器。在数据
输入锁存器进行锁存时WR
1
高。更新输入锁存CS和WR
1
要低，而ILE
版权所有© 1999年至2013年，德州仪器
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产品文件夹链接：
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