SNAS534B - 1999年5月 - 修订2013年3月
连接图
（俯视图）
图1. PDIP ， CDIP和SOIC封装
图2. PLCC封装
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2) (3)
电源电压（V
CC
)
电压在任何数字输入
电压V
REF
输入
存储温度范围
−65°C
至+ 150°C
包装消耗在
T
A
=25°C
(4)
直流电压适用于
I
OUT1
还是我
OUT2 （5）
ESD Susceptability
(5) (6)
领导
温度
（焊接， 10
秒）。
PDIP封装（塑料）
CDIP封装（陶瓷）
SOIC封装
气相（ 60秒）
红外（15秒）。
(1)
(2)
(3)
(4)
17 V
DC
V
CC
到GND
±25V
500毫瓦
−100
mV至V
CC
800V
260°C
300°C
215°C
220°C
(5)
(6)
所有电压相对于GND测量，除非另有规定ED 。
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。直流和交流电气规格不
经营超出其规定的工作条件设备时适用。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
最大功耗必须在高温下会减小，由T决定
JMAX
,
θ
JA
和环境温度，
T
A
。在任何温度下的最大允许功耗为：P
D
= (T
JMAX
−
T
A
)/θ
JA
或给定的绝对数量
最大额定值，以较低者为准。对于此设备，T
JMAX
= 125°C （塑料）或150 ° C（陶瓷） ，典型的结点至环境
歼封装的基板安装时的热阻为80℃ / W 。为NFH包，该数字将增加至100℃ / W，并为
在FN包这个数字是120 ° C / W 。
对于电流开关应用中，我
OUT1
我
OUT2
必须到地面或运算放大器的“虚地” 。该
线性误差是由大致V降解
OS
÷ V
REF
。例如，若V
REF
= 10V ，然后一个1 mV的偏移量，V
OS
关于我
OUT1
还是我
OUT2
将
引入另外的0.01％的线性误差。
人体模型， 100pF的放电通过1.5 kΩ电阻。
2
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