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    UCC21759QDWRQ1 参数 Datasheet PDF下载

    UCC21759QDWRQ1图片预览
    型号： UCC21759QDWRQ1
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    内容描述： [适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 150]
    分类和应用： 栅极驱动双极性晶体管驱动器
    文件页数/大小： 57 页 / 2481 K
    品牌： TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
     浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第11页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第13页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第14页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第15页浏览型号UCC21759QDWRQ1的Datasheet PDF文件第16页  
    UCC21759-Q1  
    SLUSEB4A – AUGUST 2020 – REVISED DECEMBER 2020  
    www.ti.com  
    6.11 Insulation Characteristics Curves  
    80  
    1400  
    1200  
    1000  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    VDD=15V; VEE=-5V  
    VDD=20V; VEE=-5V  
    60  
    40  
    20  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    0
    20  
    40  
    60  
    80  
    100  
    120  
    140  
    160  
    Ambient Temperature (oC)  
    Ambient Temperature (oC)  
    Safe  
    Safe  
    Figure 6-1. Thermal Derating Curve for Limiting  
    Current per VDE  
    Figure 6-2. Thermal Derating Curve for Limiting  
    Power per VDE  
    Copyright © 2020 Texas Instruments Incorporated  
    12  
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