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    BQ4014Y 参数 Datasheet PDF下载

    BQ4014Y图片预览
    型号： BQ4014Y
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    内容描述： 256Kx8非易失SRAM\n [256Kx8 Nonvolatile SRAM ]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 765 K
    品牌： TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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    bq4014/bq4014Y  
    1,2,3  
    Write Cycle No. 1 (WE-Controlled)  
    1,2,3,4,5  
    Write Cycle No. 2 (CE-Controlled)  
    Notes:  
    1. CE or WE must be high during address transition.  
    2. Because I/O may be active (OE low) during this period, data input signals of opposite polarity to the  
    outputs must not be applied.  
    3. If OE is high, the I/O pins remain in a state of high impedance.  
    4. Either tWR1 or tWR2 must be met.  
    5. Either tDH1 or tDH2 must be met.  
    Sept. 1992  
    7

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