HV302 / HV312
设计信息
-
持续
启动过载保护
启动必须标称100毫秒内达到所指示
在PWRGD -A引脚转换为有效状态或电路
复位和自动重试将启动。如果有一个输出的过载
或短路时启动时，电路将电流限制
方式为100ms的时间限制（在伺服模式）。反馈
电容器方式的断路器将关闭MOSFET的
前100毫秒。
下面的波形显示出的测序
PWRGD标志。这些结果是带有R得到
TB
= 120kΩ ，R
TC
= 60KΩ和R
TD
= 3kΩ
断路器延时
断路器将在小于5μs的跳闸时的电压
SENSE引脚达到标称为100mV 。串联一个电阻
SENSE引脚和连接SENSE之间的电容器
并且也可以添加VEE管脚延迟上的电压上升率
SENSE引脚，从而允许电流的过冲和延迟
断路器激活。这种方法是特别有用的，当
在反馈电容模式下工作。然而，在伺服模式
操作会造成一个电流限制前缘的过冲。
自动重试和自动重试禁用
在自动重试延迟时间成正比的
电容在RAMP引脚。自动重试序列被激活
每当在100毫秒超时为止起动或在
断路器跳闸。
自动重试可以近似为一个555 -定时器2.5μA电荷
向上和向下充电电流通过8V ，以256计数。
电阻器的值确定电容器的充电和
放电三角波振荡器的电流。该振荡器
输出被馈送到一个8位的计数器，以产生所希望的时间延迟。
各个延迟时间被定义为下面的等式：
t
TX
=
和
I
CD
=
哪里
因此，
t
AUTO
−
再试试
=
对于C
坡道
= 10nF的
t
AUTO
−
再试试
=
2
×
8
×
256
×
10nF
=
16.4s
2.5
µ
A
2
×
8
×
256
×
C
坡道
2.5
µ
A
V
bg
4R
TX
255
×
2
×
C
OSC
×
V
PP
I
CD
t
TX
=延迟各自PWRGD标记之间的时间
C
OSC
= 120pF （内部振荡电容）
V
PP
= 8.2V （振荡的峰 - 峰电压摆幅）
I
CD
=充振荡器的放电电流
VBG = 1.2V （内部带隙参考）
R
TX
=编程电阻在TB ， TC或TD引脚
结合上述两个方程式并求解的R
TX
收益率：
R
TX
=
B
bg
×
t
TX
2040
×
C
PP
×
V
PP
=
1.2V
×
t
TX
2040
×
120pF
×
8.2V
由于其绘制2.5μA最大充电电流的电阻
超过2.5μA以下8V将禁用自动重试。尽量保持这个
电阻尽可能大，例如2.5MΩ 。对于大多数用的MOSFET
4V最大的Vt ，这将改变RAMP 10μA电流源被
4V
=
1.6
µ
A
只
2.5M
Ω
R
TX
=
0.6
×
10
6
×
t
TX
对于200ms的延迟时间，我们得到：
R
TX
=
0.6
×
10
6
×
200
×
10
−
3
=
120k
Ω
对于5ms的延迟时间，我们得到：
R
TX
=
0.6
×
10
6
×
5
×
10
−
3
=
3k
Ω
PWRGD标志延迟编程
限流结束后不久， PWRGD -A成为活动
说明成功完成热插拔操作。
PWRGD -B将变为活动状态的编程的延迟时间
后PWRGD -A去主动， PWRGD -C会变成一个活跃
说出一个编程的延迟时间后， PWRGD -B去主动和
PWRGD -D将变为活动状态的编程的延迟时间
PWRGD -C后，又积极。从连接的电阻
各TB ， TC和TD引脚V
EE
脚是用来编程
在PWRGD标记之间的延迟时间顺序去激活。
(
) (
)
(
) (
)
9
Rev. D的
04/17/02
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