HV302 / HV312
功能描述 -
持续
In
反馈电容模式
操作中，假定在UV和
OV限制感到满意，并同时继续保持PWRGD
标志无效，外部MOSFET栅极电压低，
电流源供给RAMP引脚被打开。外部
斜坡电容（C
坡道
）开始充电和反馈
电容（C
FB
）开始放电，从而启动的初始时间
延迟由电容器的等效值和所确定的
RAMP引脚的2Vbg阈值电压。在此期间，如果
OV和UV超出限制，立即复位时，
斜坡电容被放电，反馈电容器是
充电。
当RAMP引脚上的电压超过阈值的2Vbg
电压，栅极驱动电路开始施加电压的栅极
外部MOSFET ，它开始转动时，其门上
阈值电压为止。然而，从源电流
RAMP引脚限制dv / dt的反馈电容（C
FB
)
这，反过来，程序的浪涌电流限制（我
CL
）按照
同的关系我
CL
= I
坡道
乘C
负载
/C
FB
因此dv / dt的和的
负载电容。在这一点上本质上从所有可用的电流
RAMP引脚流入的反馈电容，这样的电压
在斜坡电容和RAMP引脚保持基本
恒定，从而限制和控制的栅极电压
外部MOSFET （见编程电流限制和电路
破碎机在设计信息部分） 。当负载电容是
完全充电流入反馈电容器的电流是
减少和MOSFET两端的电压降基本上
下降到零，从而有效地连接在所述反馈电容器
与斜坡电容器平行。现在从RAMP当前
销流入并联连接的电容器和所述电压
RAMP引脚开始上升，从而提供另一种
编程的延迟。
无论是在工作
伺服模式
or
反馈电容模式，
当斜坡电压范围内的内部稳压1.2V
电源电压时，控制器将强制门终端向
标称10V时，PWRGD -A引脚将变为激活状态，并
在断路器处于开启状态。 PWRGD -B将变成一个活跃
说出一个编程的延迟时间后， PWRGD -A去主动，
PWRGD -C将改变到激活状态的编程的延迟时间
后PWRGD -B去激活， PWRGD -D将变成一个活跃
说出一个编程的延迟时间后， PWRGD -C去主动和
电路转换到低功率休眠模式。而在睡眠
模式的电路继续监视电流和OV和
UV状态。
当在检测引脚上的电压上升至100mV ，表示
过电流状态时，断路器将跳闸在小于5μs的。
这个时间可以通过加入外部延伸
组件。
如果起动时充分充电时，由于输出过载的情况
负载没有在100ms内实现或负载发生故障时，在任何
时间的断路器跳闸时，MOSFET被关断
在GATE拉低到V
EE
和所有四个PWRGD标志复位。
然后一个自动重试定时器，由电容器编程
连接到RAMP引脚，将持有通器件关闭以允许它
复位和冷却后再重新起动。在自动重试可以是
利用单个电阻如果需要禁用（见自动重试和
自动重试禁用的设计信息部分） 。
在在启动周期的任何时间或以后，穿越UV
和OV限制（包括滞后）将导致立即复位
所有的内部电路。当输入电源电压返回到
编程紫外线中的价值和OV限制新启动
程序将立即启动。
5
Rev. D的
04/17/02
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