HV302 / HV312
绝对最大额定值
V
EE
参考V
DD
针
V
PWRGD
参考V
EE
电压
V
UV
和V
OV
参考V
EE
电压
工作环境温度
工作结温
存储温度范围
+ 0.3V至-100V
-0.3V到+ 100V
-0.3V至+ 12V
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
订购信息
电源的活动状态
良好的标志
高
低
封装选项
14引脚SOIC
HV302NG
HV312NG
电气特性
(-10V
符号
参数
VIN
-90V ， -40°C
民
T
A
+ 85 ° C除非另有说明）
典型值
最大
单位
条件
供应
（参考V
DD
针）
V
EE
I
EE
I
EE
电源电压
电源电流
休眠模式下电源电流
（参考V
EE
针）
UV高门槛
UV下限
UV迟滞
UV输入电流
OV阈值高
OV阈值低
OV滞后
OV输入电流
（参考V
EE
针）
电流限制门限电压
断路器电流限制门限电压
-90
600
400
-10
700
450
V
µA
µA
V
EE
= -48V ，模式=限制
V
EE
= -48V ，模式=睡眠
OV和UV控制
V
UVH
V
UVL
V
UVHY
I
UV
V
OVH
V
OVL
V
OVHY
I
OV
1.26
1.16
100
1.0
1.26
1.16
100
1.0
V
V
mV
nA
V
V
mV
nA
从低到高的转变
高向低过渡
V
UV
= V
EE
+ 1.9V
从低到高的转变
高向低过渡
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
电流限制
V
SENSE -CL
V
SENSE -CB
40
80
50
100
60
120
mV
mV
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
栅极驱动输出
V
门
I
GATEUP
I
GATEDOWN
（参考V
EE
针）
最大栅极驱动电压
栅极驱动上拉电流
栅极驱动器下拉电流
8.5
500
40
10
12
V
µA
mA
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
斜坡时序控制
I
坡道
t
POR
t
上升
t
极限
t
PWRGD -A
t
PWRGD -B
t
PWRGD -B
t
PWRGD -C
t
PWRGD -C
t
PWRGD -D
t
PWRGD -D
V
坡道
t
STARTLIMIT
t
CBTRIP
t
AUTO
= 100μF ，C
坡道
= 10nF电容，V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V ，外部MOSFET IRF530 *
RAMP引脚输出电流
10
V
SENSE
= 0V
µA
时间从紫外到门开启
2.0
MS（见注1 ）
从门时间打开到V
SENSE
极限
400
µs
限流模式的持续时间
5.0
ms
时间从电流限制到PWRGD -A
5.0
ms
最大时间从PWRGD - A到PWRGD -B
150
200
250
MS ř
TB
= 120kΩ
最短时间从PWRGD - A到PWRGD -B
3.0
5.0
8.0
MS ř
TB
= 3kΩ
从PWRGD - B最大时间PWRGD -C
150
200
250
MS ř
TC
= 120kΩ
最短时间从PWRGD -B到PWRGD -C
3.0
5.0
8.0
MS ř
TC
= 3kΩ
从PWRGD -C的最大时间PWRGD -D
150
200
250
MS ř
TD
= 120kΩ
从PWRGD -C最短时间PWRGD -D
3.0
5.0
8.0
MS ř
TD
= 3kΩ
在电流限制模式下电压RAMP引脚
3.6
V
（见注2 ）
启动时间限制
80
100
120
ms
断路器延迟时间
2.0
5.0
可以通过外接RC电路来延长
µs
自动重试延迟
16
s
负载
-
测试条件：C
2
Rev. D的
04/17/02
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