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DN2625K6-G 参数 Datasheet PDF下载

DN2625K6-G图片预览
型号: DN2625K6-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 882 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN2625
电气特性
(续) @ 25
O
C除非另有规定编
符号
I
GSS
I
D(关闭)
I
DSS
I
DS (脉冲)
R
DS ( ON)
ΔR
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
参数
门体漏电流
漏极至源极漏电流
-
饱和漏极至源极电流
脉冲漏 - 源极电流
静态漏极至源极导通电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
1.1
3.1
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.3
-
-
-
800
70
18
-
-
-
-
-
200
-
-
3.5
1.1
-
1000
210
70
10
20
ns
10
20
1.8
V
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安,
R
= 3.0Ω,
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= -2.5V ,我
SD
= 150毫安
pF
µA
A
A
Ω
%/
O
C
mmho
-
-
典型值
-
-
最大
100
1.0
单位
nA
µA
条件
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
= 250V, V
GS
= -5.0V
V
DS
= 250V, V
GS
= -5.0V,
T
A
= 125
O
C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0.9V, V
DS
=有责任15V
1%的循环
V
GS
= 0V时,我
D
= 1.0A
V
GS
= 0V时,我
D
= 200毫安
V
DS
= 10V ,我
D
= 150毫安
V
GS
= -2.5V,
V
DS
= 25V,
F = 1.0MHz的
典型性能曲线
输出特性
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
I
D
(A)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
50
100
V
DS
(V)
150
200
250
V
GS
= 2.0V
V
GS
= 1.5V
V
GS
= 1.0V
V
GS
= 0.5V
V
GS
= 0V
V
GS
= -0.5V
V
GS
= -1.0V
V
GS
= -1.5V
V
GS
= -2.0V
3