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DN2625K6-G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DN2625K6-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 7 页 / 882 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN2625
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
特点
非常低的栅极阈值电压
设计是源驱动
低开关损耗
低有效输出电容
对于感性负载的设计
以及相匹配的低次谐波
概述
Supertex公司DN2625是一个低门槛耗尽型
利用先进的垂直(常开)晶体管
DMOS结构和Supertex公司的成熟的硅栅
制造工艺。这种结合产生了一种装置
与双极晶体管的功率处理能力
并用高输入阻抗和正温度
COEF网络cient固有的MOS器件。特征全部
MOS结构,该设备不受热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
应用
医用超声波波束成形
超声波聚焦阵列发射器
压电换能器的驱动波形
高速任意波形发生器
常通开关
固态继电器
恒流源
电源电路
开关波形和测试电路
V
DD
0V
90%
输入
-10V
10%
t
(上)
脉冲
发电机
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
R
L
产量
R
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
热特性
D- PAK
14引脚QFN
I
D
(连续)
1
(A)
I
D
(脉冲的)
(A)
R
θJA
2
(
O
C / W )
R
θJC
(
O
C / W )
I
DR1
(A)
I
DRM
(A)
1.1
3.3
50
45
5.5
4.0
1.1
3.3
注意事项:
1. I
D
(连续)由最大限制。牛逼
J
2. 4层, 1盎司, 3x4inch PCB ,拥有20 -通过对漏极焊盘。