DN2625K6-G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DN2625K6-G
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内容描述：	N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	7 页 / 882 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

DN2625

订购信息

封装选项

设备

TO-252

（ D- PAK ）

DN2625K4-G

14引脚QFN

的5x5mm身体，

1.0毫米高度（最大）， 1.27mm间距

DSX

DGX

(V)

GS （ OFF ）

（ MAX V ）

=0.9V)

（分钟）

DN2625

DN2625K6-G

250

-2.1

3.3

-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）

销刀豆网络gurations

漏

门

漏

11 GATE

源2

10来源

绝对最大额定值

参数

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储温度

焊接温度*

价值

250V

±20V

-55

C至+150

300

门

来源

来源3

9源

源4

漏

8 SOURCE

TO- 252 D-白

（ TOP VIEW ）

14引脚QFN

（ TOP VIEW ）

产品标识

YYWW

DN2625

LLLLLLL

YY =年密封

WW =周密封

L =批号

= “绿色”包装

绝对最大额定值是那些价值超过该受损

可能出现的设备。在这些条件下的功能操作不

暗示。该设备在绝对评价等级连续运行

可能会影响器件的可靠性。所有电压参考器件接地。

*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。

TO- 252 D-白

DN2625

LLLLLL

YYWW

AAACCC

L =批号

YY =年密封

WW =周密封

A =汇编ID

C =原产地

= “绿色”包装

14引脚QFN

电气特性

@25

C除非另有规定编

符号

DSX

DGX

GS （ OFF ）

ΔV

GS （ OFF ）

参数

漏极至源极击穿电压

漏极至栅极击穿电压

栅 - 源电压OFF

改变V

GS （ OFF ）

随温度

民

250

-1.5

典型值

最大

-2.1

4.5

单位

毫伏/

条件

= -2.5V ，我

= 50µA

= -2.5V ，我

= 50µA

= 15V ，我

= 100µA

= 15V ，我

= 100µA

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