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STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STM8S003F3P6
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内容描述: 价值线, 16兆赫STM8S 8位MCU , 8 KB闪存, 128字节的数据EEPROM , 10位ADC , 3个定时器, UART , SPI , I& SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 99 页 / 952 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STM8S003K3 STM8S003F3
电气特性
9.3.2.2
总电流消耗在等待模式
表22 :总电流消耗在等待模式在V
DD
= 5 V
符号参数条件
HSE晶体振荡器。 ( 16兆赫)
f
中央处理器
= f
=
16兆赫
HSE用户分机。时钟( 16MHz的)
HSI RC振荡器。 ( 16兆赫)
f
中央处理器
= f
/128 =
供应
HSI RC振荡器。 ( 16兆赫)
125千赫
目前在
等待模式
f
中央处理器
= f
/128 =
HSI RC振荡器。 ( 16兆赫/ 8 )
15.625千赫
f
中央处理器
= f
=
128千赫
(1)
(2)
典型值
1.6
1.1
0.89
0.7
最大
单位
1.3
1.1
0.88
mA
I
DD ( WFI )
0.45
0.57
LSI RC振荡器。 ( 128千赫)
0.4
0.54
根据表征结果的数据,而不是在生产测试。
与所有外设关闭测量默认时钟配置。
表23 :总电流消耗在等待模式在V
DD
= 3.3 V
符号
参数
条件
HSE晶体振荡器。
( 16兆赫)
f
中央处理器
= f
=
16兆赫
HSE用户分机。时钟
( 16兆赫)
HSI RC振荡器。
典型值
最大
单位
1.1
1.1
1.3
I
DD ( WFI )
电源电流
在等待模式
( 16兆赫)
f
中央处理器
= f
/ 128 = HSI RC振荡器。
125千赫
( 16兆赫)
0.89
1.1
mA
0.7
0.88
f
中央处理器
= f
/ 128 = HSI RC振荡器。
15.625千赫
f
中央处理器
= f
=
128千赫
( 16兆赫/ 8 )
0.45
0.57
LSI RC振荡器。
( 128千赫)
0.4
0.54
DocID018576第2版
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