欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

STM8S003F3P6 参数 Datasheet PDF下载

STM8S003F3P6图片预览
型号: STM8S003F3P6
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 价值线, 16兆赫STM8S 8位MCU , 8 KB闪存, 128字节的数据EEPROM , 10位ADC , 3个定时器, UART , SPI , I& SUP2 ; ç [Value line, 16 MHz STM8S 8-bit MCU, 8 Kbytes Flash, 128 bytes data EEPROM, 10-bit ADC, 3 timers, UART, SPI, I²C]
分类和应用: 闪存可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 99 页 / 952 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
 浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第46页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第47页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第48页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第49页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第51页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第52页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第53页浏览型号STM8S003F3P6的Datasheet PDF文件第54页  
电气特性
图9 :F
CPUmax
与V
DD
f
CPU (兆赫)
STM8S003K3 STM8S003F3
的功能
16
保证
在这个区域
12
8
4
0
2.95
功能保证
@ TA- 40〜 85°C
4.0
5.0
5.5
电源电压
表19 :在开机后的运行状态/掉电
符号
t
VDD
t
温度
V
IT +
V
IT-
V
HYS ( BOR )
(1)
参数
V
DD
上升时间率
V
DD
下降时间率
条件
2
2
典型值
最大
单位
微秒/ V
1.7
ms
V
复位释放延迟
上电复位门限
欠压复位门限
欠压复位迟滞
V
DD
升起
2.6
2.5
2.7
2.65
70
2.85
2.8
mV
复位后的T总是产生
温度
延时。该应用程序必须确保V
DD
仍然高于
最小ooperating电压(V
DD
分)时吨
温度
延迟已经过去。
9.3.1
VCAP外部电容
稳定的主要调节器实现连接外部电容C
EXT
V
引脚。 ç
EXT
被指定在操作条件部分。应当小心,以限制
串联电感小于15 nH的。
图10 :外部电容C
EXT
ESR
C
ESL
RLEAK
1.
ESR是等效串联电阻和ESL是等效电感。
50/99
DocID018576第2版