STM32F103xC , STM32F103xD , STM32F103xE
电气特性
图41. NAND控制器,波形普通存储器写访问
FSMC_NCEx
低
ALE ( FSMC_A17 )
CLE ( FSMC_A16 )
t
D( ALE - NOE )
FSMC_NWE
t
W( NWE )
t
H( NOE - ALE )
FSMC_NOE
t
D( D- NWE )
t
V( NWE -D )
FSMC_D [15 :0]的
t
H( NWE -D )
ai14913b
表40 。
符号
t
d(D-NWE)(2)
t
w(NOE)(2)
t
su(D-NOE)(2)
t
h(NOE-D)(2)
t
w(NWE)(2)
t
v(NWE-D)(2)
t
h(NWE-D)(2)
开关特性,NAND闪存的读写周期
(1)
参数
FSMC_D [ 15 : 0 ]前有效FSMC_NWE高
FSMC_NOE低电平宽度
FSMC_D [15:0 ]有效数据FSMC_NOE前
高
民
6T
HCLK
+ 12
4T
HCLK
– 1.5 4T
HCLK
+ 1.5
25
最大
单位
ns
ns
ns
ns
4T
HCLK
+ 2.5
0
10T
HCLK
+ 4
3T
HCLK
+ 1.5
3T
HCLK
+ 4.5
3T
HCLK
+ 2
3T
HCLK
+ 4.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
FSMC_D [ 15 : 0 ] FSMC_NOE高7后的有效数据
FSMC_NWE低电平宽度
FSMC_NWE低到FSMC_D [15:0 ]有效
FSMC_NWE高FSMC_D [ 15 : 0 ]无效
4T
HCLK
– 1
t
d(ALE-NWE)(3)
FSMC_ALE有效的前FSMC_NWE低
t
h(NWE-ALE)(3)
FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
t
d(ALE-NOE)(3)
FSMC_ALE有效的前FSMC_NOE低
t
h(NOE-ALE)(3)
FSMC_NWE高FSMC_ALE无效
1. C
L
= 15 pF的。
2.基于特征,而不是在生产测试。
3.由设计保证,而不是在生产测试。
文档ID 14611第七版
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