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    STM32F103RDH6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RDH6TR图片预览
    型号： STM32F103RDH6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有256至512KB闪存， USB ， CAN ，11个定时器， 3的ADC ，13个通信接口 [High-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 256 to 512KB Flash, USB, CAN, 11 timers, 3 ADCs, 13 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 123 页 / 1691 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第61页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第62页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第63页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第64页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第66页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第67页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第68页浏览型号STM32F103RDH6TR的Datasheet PDF文件第69页  
    STM32F103xC ， STM32F103xD ， STM32F103xE
    电气特性
    图27.异步复用PSRAM / NOR写入波形
    t
    W（ NE ）
    FSMC_NEx
    FSMC_NOE
    t
    V（ NWE_NE ）
    t
    W（ NWE ）
    t
    H（ NE_NWE ）
    FSMC_NWE
    t
    V（ A_NE ）
    FSMC_A [ 25:16 ]
    地址
    t
    H（ A_NWE ）
    t
    V（ BL_NE ）
    FSMC_NBL [1 ：0]的
    t
    V（ A_NE ）
    NBL
    t
    H（ BL_NWE ）
    t
    V（ Data_NADV ）
    数据
    t
    H（ Data_NWE ）
    FSMC_AD [15 ：0]的
    地址
    t
    V（ NADV_NE ）
    t
    W（ NADV ）
    t
    H（ AD_NADV ）
    FSMC_NADV
    ai14891B
    表34 。
    符号
    t
    W（ NE ）
    t
    V（ NWE_NE ）
    t
    W（ NWE ）
    t
    H（ NE_NWE ）
    t
    V（ A_NE ）
    t
    V（ NADV_NE ）
    t
    W（ NADV ）
    t
    H（ AD_NADV ）
    t
    H（ A_NWE ）
    t
    V（ BL_NE ）
    t
    H（ BL_NWE ）
    异步复用PSRAM / NOR写入时序
    (1)(2)
    参数
    FSMC_NE低的时间
    FSMC_NEx低到FSMC_NWE低
    FSMC_NWE低的时间
    FSMC_NWE高FSMC_NE高保持时间
    FSMC_NEx低到FSMC_A有效
    FSMC_NEx低到FSMC_NADV低
    FSMC_NADV低的时间
    FSMC_AD （地址）后，有效的保持时间
    FSMC_NADV高
    后FSMC_NWE高地址保持时间
    FSMC_NEx低到FSMC_BL有效
    后FSMC_NWE高FSMC_BL保持时间
    T
    HCLK
    – 1.5
    T
    HCLK
    + 1.5
    T
    HCLK
    – 5
    3
    T
    HCLK
    – 1
    T
    HCLK
    – 3
    4T
    HCLK
    1.6
    民
    5T
    HCLK
    – 1
    2T
    HCLK
    2T
    HCLK
    – 1
    T
    HCLK
    – 1
    7
    5
    T
    HCLK
    + 1
    最大
    5T
    HCLK
    + 2
    2T
    HCLK
    + 1
    2T
    HCLK
    + 2
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    t
    V（ Data_NADV ）
    FSMC_NADV高到数据有效
    t
    H（ Data_NWE ）
    1. C
    L
    = 15 pF的。
    2.基于特征，而不是在生产测试。
    数据保持时间后FSMC_NWE高
    文档ID 14611第七版
    65/123

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