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    STM32F103RBU6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RBU6TR图片预览
    型号： STM32F103RBU6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第32页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第33页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第34页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第35页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第37页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第38页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第39页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第40页  
    电气特性
    表9 。
    符号
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    一般的操作条件（续）
    参数
    条件
    LFBGA100
    LQFP100
    民
    最大
    454
    434
    308
    mW
    444
    363
    1110
    –40
    –40
    –40
    –40
    –40
    –40
    85
    °C
    105
    105
    °C
    125
    105
    °C
    7后缀版本
    125
    单位
    P
    D
    在T功耗
    A
    = 85°C TFBGA64
    为后缀6或T
    A
    = 105 ℃下进行
    LQFP64
    7后缀
    (3)
    LQFP48
    VFQFPN36
    室温下6
    后缀版本
    最大功率耗散
    低功耗
    (4)
    最大功率耗散
    低功耗
    (4)
    6后缀版本
    T
    A
    环境温度为7
    后缀版本
    T
    J
    结温范围
    1.当ADC的情况下，指
    表45 ： ADC特性。
    2.建议在电源V
    DD
    和V
    DDA
    从相同的源。 300 mV的最大差值
    V之间
    DD
    和V
    DDA
    可在上电和运行可以容忍的。
    3.若t
    A
    较低，较高的P
    D
    值可以作为长期为T
    J
    不超过Ť
    J
    MAX（见
    表6.2 ：热
    第82页上的特性） 。
    4.在低功耗状态下，T
    A
    只要可以扩展到这个范围为T
    J
    不超过Ť
    J
    MAX（见
    表6.2 ：第82页上的热特性） 。
    5.3.2
    在上电/掉电工作条件
    除一般的操作条件对于T
    A
    .
    表10 。
    符号
    t
    VDD
    在上电/掉电工作条件
    参数
    V
    DD
    上升时间率
    V
    DD
    下降时间率
    条件
    民
    0
    20
    最大
    单位
    微秒/ V
    5.3.3
    内置复位和电源控制模块特性
    在给定的参数
    表11
    在环境从测试得到的执行
    温度和V
    DD
    电源电压条件总结在
    表9 。
    36/92
    文档ID 13587牧师11

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