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    STM32F103RBU6TR 参数 Datasheet PDF下载

    STM32F103RBU6TR图片预览
    型号： STM32F103RBU6TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU，具有64或128 KB的闪存， USB ， CAN ，7个定时器， 2的ADC ，9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
    分类和应用： 闪存通信
    文件页数/大小： 92 页 / 1212 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第78页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第79页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第80页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第81页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第83页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第84页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第85页浏览型号STM32F103RBU6TR的Datasheet PDF文件第86页  
    封装特性
    STM32F103x8 ， STM32F103xB
    6.2
    热特性
    该芯片的最大结温（T
    J
    最大）绝不能超过规定的数值
    表9 ： 35页的一般操作条件。
    最大的芯片结温，T
    J
    最大值，单位为摄氏度，也可以计算
    使用以下等式：
    T
    J
    马克斯 - T的
    A
    MAX + （P
    D
    最大值=
    JA
    )
    其中：
    ●
    ●
    ●
    ●
    T
    A
    max是最大的环境温度中
    C,
    JA
    是包结到环境的热阻，在
    ° C / W ，
    P
    D
    最大值是P的总和
    INT
    max和P
    I / O
    MAX（ P
    D
    最大值= P
    INT
    MAX + P
    I / O
    最大值） ，
    P
    INT
    最大值是I的产物
    DD
    和V
    DD
    ，表示瓦。这是最大芯片
    内部电源。
    P
    I / O
    最大值=
    (V
    OL
    × I
    OL
    ) +
    ((V
    DD
    – V
    OH
    ) × I
    OH
    ),
    P
    I / O
    代表最大输出引脚，其中最大功耗：
    考虑到实际的V
    OL
    / I
    OL
    和V
    OH
    / I
    OH
    所述的I / O时，在低和高层次的
    应用程序。
    表56 。
    符号
    封装热特性
    参数
    热阻结到环境
    LFBGA100 - 10 ×10 MM /间距0.8mm
    热阻结到环境
    LQFP100 - 14 ×14 MM /节距为0.5mm
    热阻结到环境
    LQFP64 - 10 ×10 MM /节距为0.5mm
    热阻结到环境
    TFBGA64 - 5 ×5 mm /节距为0.5mm
    热阻结到环境
    LQFP48 - 7 ×7 mm /节距为0.5mm
    热阻结到环境
    VFQFPN 36 - 6 ×6 mm /节距为0.5mm
    价值
    44
    46
    45
    ° C / W
    65
    55
    18
    单位
    JA
    6.2.1
    参考文献
    JESD51-2集成电路热测试方法环境条件 - 自然
    对流（静止空气中） 。可从www.jedec.org 。
    82/92
    文档ID 13587牧师11

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