STM32F103x8 ， STM32F103xB
表22 。
符号
f
OSC_IN
R
F
C
电气特性
HSE 4-16 MHz振荡器特性
(1) (2)
参数
振荡器频率
反馈电阻
推荐负载电容
与等效串联
该晶体的电阻（R
S
)
(3)
HSE驱动电流
振荡器的跨导
R
S
= 30
V
DD
= 3.3 V, V
IN
= V
SS
与30 pF负载
启动
V
DD
稳定
25
2
条件
民
4
典型值
8
200
30
最大
16
单位
兆赫
k
pF
i
2
g
m
1
mA
毫安/ V
ms
t
SU(HSE(4)
启动时间
2.基于特征，而不是在生产测试。
由晶体/陶瓷谐振器制造商提供1谐振特性。
3.射频电阻相对较低的价值提供了很好的保护，防止因使用中产生的问题
潮湿环境中，因感应泄漏和偏置条件改变。然而，这是
建议采取这点考虑，如果MCU采用的是艰难的湿度条件。
4. t
SU（ HSE）
从它被使能（通过软件）的时刻所测量的启动时间，以稳定化的8兆赫
振荡为止。此值被测量为一个标准的晶体谐振器，它可以显著变化
与晶体制造商
对于C
L1
和C
L2
，建议使用高质量的外部陶瓷电容，在
5 pF至25 pF范围内（典型值） ，专为高频率的应用，并选择相匹配
晶体或谐振器的要求（见
C
L1
和C
L2
通常是
相同的大小。晶体制造商通常指定一个负载电容，它是
的C系列组合
L1
和C
L2
。 PCB和MCU引脚电容必须包含（ 10 pF的
当调整，可作为组合的销和板的电容）的粗略估计
C
L1
和C
L2
。请参考应用笔记AN2867 “振荡器设计指南ST
微控制器“可从ST网站www.st.com 。
图23.典型应用有一个8 MHz晶振
谐振器
整合电容器
CL1
OSC_IN
8 MH ž
谐振器
REXT(1)
OSC_OU牛逼
RF
BIAS
控制
收益
STM32F103xx
fHSE
CL2
ai14145
1. R
EXT
价值取决于晶体的特性。
从晶体/陶瓷谐振器低速外部时钟产生
低速外部（ LSE）时钟32.768 kHz晶振/陶瓷供应
谐振器振荡器。所有在本段中给出的信息是基于特性
在规定的典型的外部元件获得的结果
在应用程序中，
谐振器和负载电容器已被放置在尽可能靠近到振荡器
为了引脚以减少输出失真和启动稳定时间。参考晶体
谐振器厂商的谐振特性的详细信息（频率，
封装，精度） 。
文档ID 13587牧师12
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