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STM32F103C8T7TR 参数 Datasheet PDF下载

STM32F103C8T7TR图片预览
型号: STM32F103C8T7TR
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内容描述: 中密度高性能线的基于ARM的32位MCU,具有64或128 KB的闪存, USB , CAN ,7个定时器, 2的ADC ,9个通信接口 [Medium-density performance line ARM-based 32-bit MCU with 64 or 128 KB Flash, USB, CAN, 7 timers, 2 ADCs, 9 communication interfaces]
分类和应用: 闪存通信
文件页数/大小: 96 页 / 1430 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
表23 。
符号
R
F
C
(2)
STM32F103x8 , STM32F103xB
LSE振荡器的特性(F
LSE
= 32.768千赫)
(1)
参数
反馈电阻
推荐负载电容
与等效串联
该晶体的电阻(R
S
)
(3)
LSE驱动电流
振荡器的跨导
V
DD
稳定
R
S
= 30 k
V
DD
= 3.3 V, V
IN
= V
SS
5
3
条件
典型值
5
15
1.4
最大
单位
M
pF
µA
μA / V
s
I
2
g
m
t
SU(LSE)(4)
启动时间
1.基于特征,而不是在生产测试。
2.请参考说明和提醒下表段落和应用笔记AN2867 “振荡器
设计指南ST微控制器。
3.振荡器选择可以在电源电流方面采用了高品质的谐振器进行优化
小ř
S
值,例如MSIV - TIN32.768kHz 。请参考水晶制造商了解更多详细信息
4.
t
SU ( LSE )
从它被使能(通过软件)的时刻所测量的启动时间,以稳定32.768
kHz的振荡为止。此值被测量为一个标准的晶体谐振器,它可以改变
与晶体制造商显著
注意:
对于C
L1
和C
L2
建议在5 pF的使用高品质陶瓷电容
选择15 pF范围内,以匹配晶体或谐振器的要求。 ç
L1
和C
L2,
通常为相同大小。晶体制造商通常指定一个负载电容,它
是C的串联组合
L1
和C
L2
.
负载电容C
L
具有以下通式:C
L
=
C
L1
x
C
L2
/ (C
L1
+
C
L2
) + C
杂散
哪里
C
杂散
是引脚电容和电路板或走线PCB相关的电容。通常情况下,它是
在2 pF和7 pF的。
以避免超过C的最大值
L1
和C
L2
( 15 pF)的强烈推荐
要使用的谐振器与负载电容C
L
7 pF的。切勿使用谐振器的负载
12.5 pF的电容。
例如:
如果您选择用C的负载电容的谐振器
L
= 6 pF的,和C
杂散
= 2 pF的,
那么C
L1
= C
L2
= 8 pF的。
图24.典型应用有一个32.768 kHz晶振
注意事项:
谐振器
整合电容器
CL1
OSC32_IN
32.768的kH ž
谐振器
CL2
RF
OSC32_OU牛逼
BIAS
控制
收益
STM32F103xx
FLSE
ai14146
5.3.7
内部时钟源的特性
在给定的参数
在环境从测试得到的执行
温度和V
DD
电源电压条件总结在
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文档ID 13587牧师12