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STM32F103CB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: STM32F103CB
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内容描述: nullMedium密度指标线的基于ARM的32位MCU [nullMedium-density performance line ARM-based 32-bit MCU]
分类和应用:
文件页数/大小: 105 页 / 1663 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STM32F103x8 , STM32F103xB
5.3.13
I / O端口特性
通用输入/输出特性
除非另有说明,所述参数在给定的
从测试得到的
总结在的条件下进行
所有的I / O是CMOS和TTL
兼容的。
表35. I / O的静态特性
符号
参数
条件
标准IO
输入低电平
电压
-
典型值
-
最大
0.28*(V
DD
-2 V)+0.8 V
(1)
0.32*(V
DD
-2V)+0.75 V
(1)
0.35V
DD(2)
单位
V
IL
低电平输入电压IO FT
(3)
输入
低电平电压
所有I / O除外
BOOT0
标准IO
输入高电平
电压
-
-
0.41*(V
DD
-2 V)+1.3 V
(1)
-
-
V
-
-
V
IH
输入高电平
电压
IO FT
(3)
输入
高层
电压
所有I / O除外
BOOT0
0.42*(V
DD
-2 V)+1 V
(1)
0.65V
DD(2)
200
5% V
DD(5)
-
-
-
-
V
HYS
标准IO施密特
触发电压
迟滞
(4)
IO FT施密特触发器
电压迟滞
(4)
输入漏电流
(6)
-
-
mV
-
-
-
40
40
5
-
1
µA
3
50
k
50
-
pF
I
LKG
V
SS
 
V
IN
 
V
DD
标准的I / O
V
IN
= 5 V
I / O FT
V
IN
½
V
SS
V
IN
½
V
DD
-
-
30
30
-
R
PU
R
PD
C
IO
弱上拉
等效电阻
(7)
弱下拉
等效电阻
(7)
I / O引脚的电容
1.数据的基础上设计仿真。
2.测试生产。
3, FT =五伏宽容。为了维持比V的电压更高
DD
0.3内部上拉/下拉电阻必须
禁用。
施密特触发器的开关电平之间4.滞后电压。基于特征,而不是在生产测试。
5.具有至少100毫伏。
6.泄漏可能比最大值高。如果负电流注入上相邻的销。
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