电气特性
STM32F103x8 , STM32F103xB
表28.闪存的特性(续)
符号
参数
条件
读取模式
f
HCLK
= 72 MHz的等待2
州,V
DD
= 3.3 V
民
(1)
-
典型值
-
最大
(1)
20
单位
mA
-
-
2
-
-
-
5
50
3.6
µA
V
I
DD
电源电流
写入/擦除模式
f
HCLK
= 72兆赫,V
DD
= 3.3 V
掉电模式/暂停,
V
DD
= 3.0〜 3.6 V
V
PROG
编程电压
1.由设计保证,而不是在生产测试。
表29.闪存存储器耐用性和数据保留
价值
符号
参数
条件
民
N
结束
耐力
T
A
= -40 〜+ 85° C( 6后缀版本)
T
A
= -40〜 + 105 ℃( 7后缀的版本)
1 kcycle
(2)
在T
A
= 85 °C
t
RET
数据保留
1 kcycle
(2)
在T
A
= 105 °C
10 kcycles
(2)
在T
A
= 55 °C
1.基于特征,而不是在生产测试。
2.骑自行车完成在整个温度范围内。
(1)
单位
典型值
-
-
-
-
最大
-
-
-
-
岁月
kcycles
10
30
10
20
5.3.10
EMC特性
药敏试验是在器件特性以抽样方式进行。
功能性EMS (电磁敏感性)
而一个简单的应用程序在设备上执行(切换2个LED通过I / O端口) 。
该装置是由两个电磁事件强调,直到发生故障。故障是
通过LED指示:
静电放电( ESD )
(正和负)被施加到所有器件引脚直到
功能发生紊乱。这个测试是符合IEC 61000-4-2标准。
FTB :
快速瞬态电压的脉冲串(正和负)被施加到V
DD
和
V
SS
通过一个100 pF的电容,直至功能障碍发生。这个测试是
符合IEC 61000-4-4标准。
器件复位允许恢复了正常运行。
试验结果在给定的
它们都是基于EMS级别和类别
在应用笔记AN1709定义。
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