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IRF620 参数 Datasheet PDF下载

IRF620图片预览
型号: IRF620
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内容描述: N - 沟道增强型功率MOS晶体管 [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 187 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF620/FI
电气特性
(续)
切换电阻性负载
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
开启时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 100 V I
D
= 3 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 50
(见测试电路)
I
D
= 6 A V
GS
= 10 V
V
DD
=最大额定值×0.8
(见测试电路)
分钟。
典型值。
30
70
135
45
20
6
8
马克斯。
45
100
190
65
30
单位
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
(•)
V
S.D。
(∗)
t
rr
Q
rr
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
I
SD
= 6 A
V
GS
= 0
170
1
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
24
1.5
单位
A
A
V
ns
µC
I
SD
= 6 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 100 V T,
j
= 150
o
C
( * )脉冲:脉冲宽度= 300
µs,
占空比1.5 %
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区TO- 220
对于ISOWATT220安全工作区
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