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IRF620图片预览
型号: IRF620
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内容描述: N - 沟道增强型功率MOS晶体管 [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 187 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF620/FI
热数据
TO-220
R
THJ - CAS é
R
thj- AMB
R
第C-S
T
l
热阻结案件
最大
1.79
62.5
0.5
300
ISOWATT220
4.17
o
o
o
C / W
C / W
C / W
o
C
热阻结到环境
最大
热阻案例散热器
典型值
最大无铅焊接温度的目的
雪崩特性
符号
I
A R
E
AS
E
AR
I
A R
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
D D
= 25 V)
重复性雪崩能量
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
雪崩电流,重复或不重复
(T
c
= 100
o
C,脉冲宽度为T的限制
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
o
最大值
6
20
5
4
单位
A
mJ
mJ
A
电气特性
(T
= 25℃ ,除非另有规定)
关闭
符号
V
( BR ) DSS
I
DS S
I
摹SS
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 250
µA
V
的s
= 0
分钟。
200
10
100
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
nA
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值×0.8
门体漏
电流(V
ð S
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
开( *)
符号
V
的s (次)
R
DS ( ON)
I
D(上)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
在国家漏极电流
V
GS
= 10V
测试条件
I
D
= 250
µA
I
D
= 3 A
V
的s
= 10 V
6
分钟。
2
典型值。
3
0.55
马克斯。
4
0.8
单位
V
A
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
ð S(上)最大
动态
符号
g
fs
(∗)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
ð S(上)最大
V
DS
= 25 V
F = 1 MHz的
I
D
= 3 A
V
的s
= 0
分钟。
1.5
典型值。
3.5
460
90
20
600
120
30
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9