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IRF620图片预览
型号: IRF620
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内容描述: N - 沟道增强型功率MOS晶体管 [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 9 页 / 187 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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IRF620
IRF620FI
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
IRF620
IRF620FI
s
s
s
s
V
DSS
200 V
200 V
R
DS ( ON)
< 0.8
< 0.8
I
D
6A
4A
典型ř
DS ( ON)
= 0.55
雪崩坚固的技术
100%的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
3
1
2
1
3
2
应用
s
大电流,高开关速度
s
不间断电源( UPS )
s
电机控制,音频放大器
s
工业激励器
s
DC-DC & DC-AC转换器
电信,工业和消费类
环境
TO-220
ISOWATT220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
ð S
V
DG ř
V
GS
I
D
I
D
I
D M
(•)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
IRF620
漏源电压(V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压(R
GS
= 20 kΩ)
栅源电压
漏电流(续)在T
c
= 25
o
C
漏电流(续)在T
c
= 100
o
C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
绝缘耐压( DC )
储存温度
马克斯。工作结温
6
4
24
70
0.56
-65到150
150
200
200
±
20
4
2
24
30
0.24
2000
价值
IRF620FI
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
V
o
o
单位
C
C
( • )脉冲宽度有限的安全工作区
1996年11月
1/9