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100HS3L- 参数 Datasheet PDF下载

100HS3L-图片预览
型号: 100HS3L-
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内容描述: N沟道30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO - 8的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基 [N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 294 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STSJ100NHS3LL
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 15V ,我
D
=10A,
R
G
=4.7Ω, V
GS
=4.5V
V
DD
= 15V ,我
D
=10A,
R
G
=4.7Ω, V
GS
=4.5V
分钟。
典型值。
16
45
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
68
8
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
(脉冲的)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5A ,V
GS
=0
I
SD
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 25V , TJ = 150℃
30
30
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
0.75
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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