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100HS3L- 参数 Datasheet PDF下载

100HS3L-图片预览
型号: 100HS3L-
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内容描述: N沟道30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO - 8的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基 [N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 294 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STSJ100NHS3LL
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D (2)
I
D
I
DM(3)
P
合计
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压(V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
=25°C
漏电流(连续)在T
C
=100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
(2)
总功耗在T
C
= 25°C
(1)
工作结温
储存温度
价值
30
±16
20
100
12.6
80
70
3
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
1.此值相应额定Rthj -的pcb
2.该值是根据Rthj -C额定
3.脉冲宽度有限的安全工作区
表2中。
符号
R
THJ -C
R
thj-pcb(1)
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
价值
1.8
42
单位
° C / W
° C / W
1.当安装在1英寸2 FR-4板, 2盎司铜( t<10sec )。
表3中。
符号
I
AV
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩电流,不会重复(脉冲
宽度由TJMAX限制)
单脉冲雪崩能量(首发
TJ = 25 ° C,I
D
=I
AV
, V
DD
=24V)
价值
10
1.8
单位
A
J
3/12