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    100HS3L- 参数 Datasheet PDF下载

    100HS3L-图片预览
    型号： 100HS3L-
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO - 8的STripFET III功率MOSFET加上单片肖特基 [N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - PowerSO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 294 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第1页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第2页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第3页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第5页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第6页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第7页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第8页浏览型号100HS3L-的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    STSJ100NHS3LL
    2
    电气特性
    (T
    例
    = 25 ° C除非另有规定编）
    表4 。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    开/关状态
    参数
    漏源击穿
    电压
    零栅压漏
    电流（V
    GS
    = 0)
    门体漏电流
    (V
    DS
    = 0)
    栅极阈值电压
    静态漏源
    阻力
    静态漏源
    阻力
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0
    V
    DS
    = 24V
    V
    GS
    = ±16V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 1毫安
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 10A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 10A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 10A @ 125°C
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 10A @ 125°C
    1
    分钟。
    30
    500
    ±
    100
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    nA
    V
    Ω
    Ω
    Ω
    Ω
    2.5
    0.0032 0.0042
    0.004 0.0057
    0.005
    0.006
    R
    DS （ ON）
    表5 。
    符号
    g
    飞秒（1）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    动态
    参数
    正向跨导
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    测试条件
    V
    DS
    = 10V ，我
    D
    = 15A
    分钟。
    典型值。
    44
    4200
    700
    46.2
    27
    8.5
    7.2
    35
    马克斯。
    单位
    S
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz时， V
    GS
    =0
    V
    DD
    = 15V ，我
    D
    = 20A
    V
    GS
    = 4.5V,
    （参见图13）
    1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
    4/12

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