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    STF18N55M5 参数 Datasheet PDF下载

    STF18N55M5图片预览
    型号： STF18N55M5
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    内容描述： N沟道550 V， 0.18 I© ， 13 A， MDmeshâ ?? ¢在D²PAK ， DPAK V功率MOSFET ， TO- 220FP和TO -220 [N-channel 550 V, 0.18 Ω, 13 A, MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, DPAK, TO-220FP and TO-220]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 22 页 / 1253 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第11页浏览型号STF18N55M5的Datasheet PDF文件第12页  
    Electrical characteristics
    STB18N55M5, STD18N55M5, STF18N55M5, STP18N55M5
    Figure 15. Normalized on resistance vs
    temperature
    R
    DS(on)
    (norm)
    Figure 14. Normalized gate threshold voltage
    vs temperature
    V
    GS(th)
    (norm)
    AM08670v1
    AM08671v1
    I
    D
    =250µA
    1.10
    2.1
    1.9
    I
    D
    =6.5A
    V
    GS
    =10V
    1.00
    1.7
    1.5
    0.90
    1.3
    1.1
    0.80
    0.9
    0.7
    0.70
    -50 -25
    0
    25
    50
    75 100
    T
    J
    (°C)
    0.5
    -50 -25
    0
    25
    50
    75 100
    T
    J
    (°C)
    Figure 16. Switching losses vs gate resistance Figure 17. Normalized B
    VDSS
    vs temperature
    (1)
    E
    (μJ)
    140
    120
    100
    AM08673v1
    BV
    DSS
    AM08672v1
    (norm)
    I
    D
    =9A
    V
    CL
    =400V
    V
    GS
    =10V
    Eon
    1.07
    I
    D
    =1mA
    1.05
    1.03
    Eoff
    1.01
    0.99
    0.97
    0.95
    80
    60
    40
    20
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    R
    G
    (Ω)
    0.93
    -50 -25
    0
    25
    50
    75 100
    T
    J
    (°C)
    1. Eon including reverse recovery of a SiC diode
    8/22
    Doc ID 17078 Rev 2

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