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STD17N05L 参数 Datasheet PDF下载

STD17N05L图片预览
型号: STD17N05L
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内容描述: N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 [N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 10 页 / 174 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STD17N05L/STD17N06L
Derating Curve
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
4/10