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    IRF630 参数 Datasheet PDF下载

    IRF630图片预览
    型号： IRF630
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道200V - 0.35ヘ - 9A TO- 220 / TO- 220FP网overlay⑩ II功率MOSFET [N-channel 200V - 0.35ヘ - 9A TO-220/TO-220FP Mesh overlay⑩ II Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 14 页 / 337 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IRF630的Datasheet PDF文件第9页  
    IRF630 - IRF630FP
    Electrical characteristics
    Table 6.
    Symbol
    I
    SD
    I
    SDM(1)
    V
    SD(2)
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    Source drain diode
    Parameter
    Source-drain current
    Source-drain current (pulsed)
    Forward on voltage
    Reverse recovery time
    Reverse recovery charge
    Reverse recovery current
    I
    SD
    =9A, V
    GS
    =0
    I
    SD
    =9A,
    di/dt = 100A/µs,
    V
    DD
    =50V, Tj=150°C
    (see Figure 16)
    170
    0.95
    11
    Test conditions
    Min
    Typ.
    Max
    9
    36
    1.5
    Unit
    A
    A
    V
    ns
    µC
    A
    1. Pulse width limited by safe operating area
    2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5%
    5/14

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