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13NM60N 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 13NM60N
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内容描述: N沟道600 V , 0.320 Ω , 10 A PowerFLAT ? ( 8×8 ) HV的MDmesh ?二功率MOSFET [N-channel 600 V, 0.320 Ω, 10 A PowerFLAT? (8x8) HV MDmesh? II Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 831 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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Test circuits
STL13NM60N
3
Test circuits
Figure 14. Gate charge test circuit
V
DD
12V
2200
Figure 13. Switching times test circuit for
resistive load
47kΩ
100nF
1kΩ
R
L
V
GS
V
D
R
G
P
W
D.U.T.
μF
3.3
μF
V
DD
V
i
=20V=V
GMAX
2200
μF
I
G
=CONST
100Ω
2.7kΩ
47kΩ
P
W
1kΩ
AM01469v1
D.U.T.
V
G
AM01468v1
Figure 15. Test circuit for inductive load
Figure 16. Unclamped inductive load test
switching and diode recovery times
circuit
A
D
G
S
B
25
Ω
D.U.T.
A
FAST
DIODE
B
A
L=100μH
B
D
G
3.3
μF
1000
μF
L
V
D
2200
μF
3.3
μF
V
DD
V
DD
I
D
R
G
S
V
i
D.U.T.
P
w
AM01470v1
AM01471v1
Figure 17. Unclamped inductive waveform
V
(BR)DSS
V
D
Figure 18. Switching time waveform
t
on
td
on
t
r
t
off
td
off
t
f
90%
I
DM
90%
10%
I
D
V
DD
V
DD
0
10%
V
DS
90%
V
GS
AM01472v1
0
10%
AM01473v1
8/14
Doc ID 018870 Rev 1