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型号: STN9926
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内容描述: 该STN9926是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度, DMOS沟道技术生产。 [The STN9926 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 648 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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STN9926  
Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET  
5A  
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Typical  
20  
Unit  
V
±
12  
Gate-Source Voltage  
V
TA=25  
Continuous Drain Current  
5.0  
4.0  
A
(TJ=150  
)
TA=70  
Pulsed Drain Current  
IDM  
30  
A
Continuous Source Current  
(Diode Conduction)  
IS  
1.6  
A
TA=25℃  
2.8  
1.8  
Power Dissipation  
PD  
W
TA=70  
Operation Junction Temperature  
Storgae Temperature Range  
TJ  
-55/150  
-55/150  
105  
TSTG  
/W  
Rθ  
Thermal Resistance-Junction to Ambient  
JA  
2
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
www.syonsontech.com  
Copyright © 2007, Stanson Corp.  
STN9926 2007. V1