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    STN9926 参数 Datasheet PDF下载

    STN9926图片预览
    型号： STN9926
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    内容描述： 该STN9926是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管都采用高密度， DMOS沟道技术生产。 [The STN9926 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench technology.]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 648 K
    品牌： STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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    STN9926  
    Dual N Channel Enhancement Mode MOSFET  
    5A  
    ℃
    ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
    Parameter  
    Drain-Source Voltage  
    Symbol  
    VDSS  
    VGSS  
    ID  
    Typical  
    20  
    Unit  
    V
    ±
    12  
    Gate-Source Voltage  
    V
    TA=25℃  
    ℃
    Continuous Drain Current  
    5.0  
    4.0  
    A
    ℃
    (TJ=150  
    )
    TA=70  
    Pulsed Drain Current  
    IDM  
    30  
    A
    Continuous Source Current  
    (Diode Conduction)  
    IS  
    1.6  
    A
    TA=25℃  
    ℃
    2.8  
    1.8  
    Power Dissipation  
    PD  
    W
    ℃
    ℃
    TA=70  
    Operation Junction Temperature  
    Storgae Temperature Range  
    TJ  
    -55/150  
    -55/150  
    105  
    TSTG  
    ℃
    /W  
    Rθ  
    Thermal Resistance-Junction to Ambient  
    JA  
    2
    120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
    www.syonsontech.com  
    Copyright © 2007, Stanson Corp.  
    STN9926 2007. V1  

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