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ST2305A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ST2305A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 143 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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ST2305A  
P Channel Enhancement Mode MOSFET  
-3.5A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ Max Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS=0V,ID=-250uA  
VDS=VGS,ID=-250uA  
-15  
V
V
Gate Threshold Voltage  
-0.3  
-1.5  
±
±
VDS=0V,VGS= 12V  
100  
-1  
Gate Leakage Current  
nA  
VDS=-20V,VGS=0V  
VDS=-20V,VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
IDSS  
uA  
A
-10  
TJ=55  
VDS -5V,VGS=-4.5V  
VDS -5V,VGS=-2.5V  
-6  
-3  
On-State Drain Current  
ID(on)  
VGS=-4.5V,ID=-3.5A  
VGS=-2.5V,ID=-2.0A  
VGS=-1.8V,ID=-2.0A  
0.045  
0.055  
0.09  
Ω
Drain-source On-Resistance  
RDS(on)  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
gfs  
VDS=-5V,ID=-3.5V  
IS=-1.6A,VGS=0V  
8.5  
S
V
VSD  
-0.8 -1.2  
Dynamic  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
10  
2
12  
VDS=-10V  
VGS=-4.5V  
ID -3.5A  
nC  
pF  
Gate-Drain Charge  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer  
Capacitance  
2
Ciss  
Coss  
485  
90  
VDS=-10V  
VGS=0V  
F=1MHz  
Crss  
40  
10  
18  
VDD=-10V  
td(on)  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
Ω
RL=6  
tr  
13  
18  
15  
22  
24  
20  
ID=-1.0A  
VGEN=-4.5V  
nS  
td(off)  
tf  
Ω
RG=6  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
www.stansontech.com  
ST2305A 2005. V1