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ST2305A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: ST2305A
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 143 K
品牌: STANSON [ STANSON TECHNOLOGY ]
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ST2305A  
P Channel Enhancement Mode MOSFET  
-3.5A  
ABSOULTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 Unless otherwise noted )  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Typical  
Unit  
V
-15  
±
12  
V
TA=25℃  
-3.5  
-2.8  
Continuous Drain CurrentTJ=150 )  
A
TA=70  
Pulsed Drain Current  
IDM  
-10  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
IS  
-1.6  
A
TA=25℃  
1.25  
0.8  
Power Dissipation  
PD  
W
TA=70  
Operation Junction Temperature  
Storgae Temperature Range  
TJ  
150  
-55/150  
120  
TSTG  
/W  
Rθ  
Thermal Resistance-Junction to Ambient  
JA  
STANSON TECHNOLOGY  
120 Bentley Square, Mountain View, Ca 94040 USA  
www.stansontech.com  
ST2305A 2005. V1