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    S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11TAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11TAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第10页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第11页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第13页  
    D a t a S h e e t  
    Block Diagram  
    DQ15–DQ0 (A-1)  
    RY/BY#  
    VCC  
    VSS  
    VIO  
    Sector Switches  
    Erase Voltage  
    Generator  
    Input/Output  
    Buffers  
    RESET#  
    WE#  
    WP#/ACC  
    BYTE#  
    State  
    Control  
    Command  
    Register  
    PGM Voltage  
    Generator  
    Data  
    Latch  
    Chip Enable  
    Output Enable  
    Logic  
    STB  
    CE#  
    OE#  
    Y-Decoder  
    Y-Gating  
    STB  
    VCC Detector  
    Timer  
    Cell Matrix  
    X-Decoder  
    AMax**–A0  
    ** A  
    GL512N = A24, A  
    GL256N = A23, A GL128N = A22  
    Max  
    Max  
    Max  
    S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  
    S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
    7

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