欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL128N11TAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11TAIV10图片预览
型号: S29GL128N11TAIV10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第9页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第10页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第13页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第14页浏览型号S29GL128N11TAIV10的Datasheet PDF文件第15页  
D a t a S h e e t  
Connection Diagrams  
64-ball Fortified BGA  
Top View, Balls Facing Down  
A8  
NC  
B8  
C8  
D8  
E8  
F8  
G8  
NC  
H8  
NC  
A22  
A231  
VIO  
VSS  
A242  
A7  
B7  
C7  
D7  
E7  
F7  
G7  
H7  
VSS  
A13  
A12  
A14  
A15  
A16  
BYTE# DQ15/A-1  
A6  
A9  
B6  
A8  
C6  
D6  
E6  
F6  
G6  
H6  
A10  
A11  
DQ7  
DQ14  
DQ13  
DQ6  
A5  
B5  
C5  
D5  
E5  
F5  
G5  
H5  
VCC  
WE# RESET#  
A21  
A19  
DQ5  
DQ12  
DQ4  
A4  
B4  
C4  
D4  
E4  
F4  
G4  
H4  
RY/BY# WP#/ACC  
A18  
A20  
DQ2  
DQ10  
DQ11  
DQ3  
A3  
A7  
B3  
C3  
A6  
D3  
A5  
E3  
F3  
G3  
H3  
A17  
DQ0  
DQ8  
DQ9  
DQ1  
A2  
A3  
B2  
A4  
C2  
A2  
D2  
A1  
E2  
A0  
F2  
G2  
H2  
VSS  
CE#  
OE#  
A1  
NC  
B1  
NC  
C1  
NC  
D1  
NC  
E1  
F1  
G1  
NC  
H1  
NC  
NC  
VIO  
Notes:  
1. Ball C8 is NC on S29GL128N  
2. Ball F8 is NC on S29GL256N and S29GL128N  
Special Package Handling Instructions  
Special handling is required for Flash Memory products in molded packages (TSOP, BGA). The  
package and/or data integrity may be compromised if the package body is exposed to tem-  
peratures above 150°C for prolonged periods of time.  
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006  
S29GL-N MirrorBit™ Flash Family  
9
 复制成功!