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MBM29F040C-90 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F040C-90图片预览
型号: MBM29F040C-90
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内容描述: 闪存4M ( 512K ×8 )位 [FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 423 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29F040C-55/-70/-90  
3rd Bus Cycle  
555H  
Data Polling  
Addresses  
PA  
PA  
t
AH  
tWC  
tRC  
tAS  
CE  
t
CH  
tGHWL  
OE  
tWP  
tWHWH1  
WE  
tWPH  
tCS  
tDF  
tDH  
t
OE  
A0H  
DOUT  
PD  
DOUT  
DQ7  
Data  
5.0V  
t
DS  
t
OH  
tCE  
Notes:1. PA is address of the memory location to be programmed.  
2. PD is data to be programmed at byte address.  
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.  
4. DOUT is the output of the data written to the device.  
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.  
Figure 6 AC Waveforms for Alternate WE Controlled Program Operations  
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