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MBM29F040C-90 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F040C-90图片预览
型号: MBM29F040C-90
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内容描述: 闪存4M ( 512K ×8 )位 [FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 41 页 / 423 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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MBM29F040C-55/-70/-90  
3rd Bus Cycle  
Data Polling  
Addresses  
555H  
PA  
PA  
tAH  
t
WC  
tAS  
WE  
t
WH  
tGHEL  
OE  
CE  
t
CP  
tWHWH1  
t
CPH  
t
WS  
t
DH  
DQ7  
DOUT  
A0H  
PD  
Data  
5.0V  
tDS  
Notes:1. PA is address of the memory location to be programmed.  
2. PD is data to be programmed at byte address.  
3. DQ7 is the output of the complement of the data written to the device.  
4. DOUT is the output of the data written to the device.  
5. Figure indicates last two bus cycles of four bus cycle sequence.  
Figure 7 AC Waveforms for Alternate CE Controlled Program Operations  
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