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AM29BL802C70RZI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29BL802C70RZI
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内容描述: 8兆位( 512K的x 16位) CMOS 3.0伏只突发模式闪存 [8 Megabit (512 K x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Burst Mode Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 46 页 / 772 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A S H E E T  
TEST CONDITIONS  
Table 6. Test Specifications  
3.3 V  
65R,  
70R  
90R,  
120R  
Test Condition  
Unit  
2.7 kΩ  
Output Load  
1 TTL gate  
Device  
Under  
Test  
Output Load Capacitance, CL  
(including jig capacitance)  
30  
100  
5
pF  
C
L
6.2 kΩ  
Input Rise and Fall Times  
Input Pulse Levels  
ns  
V
0.0–3.0  
Input timing measurement  
reference levels  
1.5  
1.5  
V
V
Note: Diodes are IN3064 or equivalent  
Output timing measurement  
reference levels  
Figure 13. Test Setup  
Key to Switching Waveforms  
WAVEFORM  
INPUTS  
OUTPUTS  
Steady  
Changing from H to L  
Changing from L to H  
Don’t Care, Any Change Permitted  
Does Not Apply  
Changing, State Unknown  
Center Line is High Impedance State (High Z)  
3.0 V  
0.0 V  
1.5 V  
1.5 V  
Input  
Measurement Level  
Output  
Figure 14. Input Waveforms and Measurement Levels  
28  
Am29BL802C  
22371C7 November 3, 2006