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    TK4P55D 参数 Datasheet PDF下载

    TK4P55D图片预览
    型号： TK4P55D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS型（I ?? - 莫萨？ | ） [Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 311 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第5页  
    R
    DS （ ON）
    TC =
    5
    100
    常见的来源
    VGS
    =
    10 V
    脉冲测试
    常见的来源
    Tc
    =
    25°C
    脉冲测试
    I
    DR
    – V
    DS
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (
    Ω)
    4
    反向漏电流
    I
    DR
    (A)
    10
    3
    2
    2
    4
    ID
    =
    1 A
    1
    1
    10
    5
    0.1
    0
    3
    -0.6
    1
    VGS
    =
    0 V
    -0.9
    -1.2
    -1.5
    0
    −80
    −40
    0
    40
    80
    120
    160
    -0.3
    外壳温度
    Tc
    (°C)
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    Ç - V
    DS
    10000
    5
    V
    th
    TC =
    栅极阈值电压
    V
    th
    (V)
    （PF ）
    1000
    4
    西塞
    C
    3
    电容
    100
    科斯
    2
    常见的来源
    1 VDS
    =
    10 V
    ID
    =
    1毫安
    脉冲测试
    0
    −80
    −40
    0
    40
    80
    120
    160
    10
    常见的来源
    VGS
    =
    0 V
    f
    =
    1兆赫
    Tc
    =
    25°C
    1
    10
    CRSS
    1
    0.1
    100
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    外壳温度
    Tc
    (°C)
    P
    D
    TC =
    V
    DS
    (V)
    100
    500
    动态输入/输出
    特征
    (V)
    栅源电压
    V
    GS
    20
    漏极功耗
    P
    D
    (W)
    80
    400
    VDS
    200
    VDD
    =
    100 V
    16
    漏源电压
    60
    300
    400
    12
    40
    200
    VGS
    100
    常见的来源
    ID
    =
    4 A
    Tc
    =
    25°C
    脉冲测试
    8
    20
    4
    0
    0
    40
    80
    120
    160
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    0
    20
    外壳温度
    Tc
    (°C)
    总栅极电荷
    Q
    g
    （ NC ）
    4/5
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