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    TK4P55D 参数 Datasheet PDF下载

    TK4P55D图片预览
    型号： TK4P55D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS型（I ?? - 莫萨？ | ） [Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 311 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TK4P55D的Datasheet PDF文件第5页  
    电气特性
    （大
    =
    25°C)
    特征
    栅极漏电流
    排水截止电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    正向转移导纳
    输入电容
    反向传输电容
    输出电容
    上升时间
    开启时间
    开关时间
    下降时间
    打开-O FF时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    t
    f
    t
    关闭
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    V
    DD
    ≈
    400 V, V
    GS
    =
    10 V，I
    D
    =
    4 A
    税
    ≤
    1%, t
    w
    =
    10
    μs
    V
    DD
    ≈
    200 V
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    55
    11
    6
    5
    符号
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    （ BR ） DSS
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    ⎪Y
    fs
    ⎪
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    C
    OSS
    t
    r
    t
    on
    50
    Ω
    10 V
    V
    GS
    0V
    I
    D
    =
    2 A
    V
    OUT
    V
    DS
    =
    25 V, V
    GS
    =
    0 V，F
    =
    1兆赫
    测试条件
    V
    GS
    = ±30
    V, V
    DS
    =
    0 V
    V
    DS
    =
    550 V, V
    GS
    =
    0 V
    I
    D
    =
    10毫安，V
    GS
    =
    0 V
    V
    DS
    =
    10 V，I
    D
    =
    1毫安
    V
    GS
    =
    10 V，I
    D
    =
    2 A
    V
    DS
    =
    10 V，I
    D
    =
    2 A
    民
    ⎯
    ⎯
    550
    2.4
    ⎯
    0.5
    ⎯
    ⎯
    典型值。
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    1.5
    2.0
    490
    3
    55
    18
    40
    8
    最大
    ±1
    10
    ⎯
    4.4
    1.88
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    pF
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    Ω
    S
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ns
    R
    L
    =
    100
    Ω
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    nC
    源极 - 漏极额定值和特性
    （大
    =
    25°C)
    特征
    连续漏电流反向
    （注1 ）
    脉冲漏极电流反向
    正向电压（二极管）
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    （注1 ）
    符号
    I
    DR
    I
    DRP
    V
    DSF
    t
    rr
    Q
    rr
    测试条件
    ⎯
    ⎯
    I
    DR
    =
    4 A，V
    GS
    =
    0 V
    I
    DR
    =
    4 A，V
    GS
    =
    0 V,
    dI
    DR
    / DT
    =
    100 A / μs的
    民
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    典型值。
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    900
    5
    最大
    4
    16
    −1.7
    ⎯
    ⎯
    单位
    A
    A
    V
    ns
    µC
    标记（注4 ）
    TK4P55D
    产品型号（或缩写代码）
    批号*
    注4 ：
    *
    每周码： （四位数）
    制造周
    （ 01年第一周，持续到52或53 ）
    制造年份
    （日历年的最后2digits ）
    2/5
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