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TK4P55D 参数 Datasheet PDF下载

TK4P55D图片预览
型号: TK4P55D
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内容描述: 硅N沟道MOS型(I ?? - 莫萨? | ) [Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 311 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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I
D
– V
DS
4
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
3
10
8
8
7
6.8
10
I
D
– V
DS
8
7.8
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
7.5
(A)
(A)
漏电流I
D
6
漏电流I
D
2
6.5
6.3
6
VGS
=
5.6 V
4
7
1
6.5
2
VGS
=
6 V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
V
DS
(V)
8
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
6
20
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25℃
脉冲测试
(A)
16
漏电流I
D
漏源电压
12
4
8
25
2
100
Tc
= −55
°C
ID
=
4 A
4
2
1
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
⎪Y
fs
– I
D
正向转移导纳
⎪Y
fs
(S)
10
R
DS ( ON)
– I
D
10
Tc
= −55
°C
1
25
100
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
(Ω)
常见的来源
VDS
=
10 V
脉冲测试
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
VGS
=
10 V
1
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
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