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    TK12P60W 参数 Datasheet PDF下载

    TK12P60W图片预览
    型号： TK12P60W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS型 [Silicon N Channel MOS Type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 760 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第5页  
    R
    DS （ ON）
    – T
    a
    0.8
    I
    DR
    – V
    DS
    100
    常见的来源
    VGS
    =
    0 V
    Ta
    =
    25°C
    脉冲测试
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    (Ω)
    0.6
    11.5
    5.8
    0.4
    ID
    =
    2.9 A
    I
    DR
    10
    反向漏电流
    (A)
    1
    0.1
    0
    40
    80
    120
    160
    常见的来源
    VGS
    =
    10 V
    脉冲测试
    0.2
    0
    −80
    −40
    0
    −0.4
    −0.8
    −1.2
    −1.6
    −2
    环境温度
    T
    a
    (°C)
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    Ç - V
    DS
    100000
    4
    E
    OSS
    – V
    DS
    输出电容储存的能量
    E
    OSS
    (µJ)
    10000
    （PF ）
    3
    C
    1000
    西塞
    电容
    2
    100
    科斯
    10
    常见的来源
    VGS
    =
    0 V
    f
    =
    1兆赫
    Ta
    =
    25°C
    1
    10
    100
    1
    CRSS
    1
    0.1
    0
    1000
    0
    100
    200
    300
    400
    500
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    漏源电压
    V
    DS
    (V)
    V
    th
    – T
    a
    5
    500
    动态输入/输出
    特征
    常见的来源
    ID
    =
    11.5 A
    Ta
    =
    25°C
    脉冲测试
    20
    V
    th
    (V)
    (V)
    VDS
    400
    4
    16
    V
    DS
    栅极阈值电压
    漏源电压
    VDD
    ≈
    400 V
    200
    VGS
    8
    2
    常见的来源
    1
    VDS
    =
    10 V
    ID
    =
    0.6毫安
    脉冲测试
    −40
    0
    40
    80
    120
    160
    100
    4
    0
    −80
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    0
    环境温度
    T
    a
    (°C)
    总栅极电荷
    Q
    g
    （ NC ）
    4/5
    www.freescale.net.cn
    栅源电压
    3
    300
    12
    V
    GS
    (V)

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