TK12P60W
硅N沟道MOS型（ DTMOSⅡ ）
开关稳压器的应用
•
•
•
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
=
0.256Ω
（典型值）。
通过使用超级结结构： DTMOS
易于控制门的开关
增强型： V
th
= 2.7〜 3.7 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.6 mA）的
6.6
±
0.2
5.34
±
0.13
1.08±0.2
单位：mm
0.58MAX
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）
漏电流（脉冲）
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
I
DR
I
DRP
T
ch
T
英镑
等级
600
±30
11.5
46.0
100
93
5.8
11.5
46.0
150
-55到150
单位
V
V
A
A
W
mJ
A
A
A
°C
°C
2.3
±
0.1
0.76
±
0.12
2.29
0.07
±
0.07
1
1.
2.
2
3
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
反向漏电流（连续）
（注1 ）
漏的反向电流（脉冲）
通道温度
存储温度范围
（注1 ）
门
漏
（HEAT
汇）
3.源
JEDEC
JEITA
东芝
⎯
⎯
2-7K1A
重量：0.58克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。请在审查东芝半导体可靠性设计适当的可靠性
手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法”“ ）和个人可靠性数据（即
可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
符号
R
TH（ CH-C ）
最大
1.25
单位
内部连接
2
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 4.83 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AR
= 5.8 A
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
3
1/5
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1.52
+0.25
−0.12
1.14MAX
1.01MAX
6.1
±
0.12
+0.4
10.0
−0.6
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
