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    TK12P60W 参数 Datasheet PDF下载

    TK12P60W图片预览
    型号： TK12P60W
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS型 [Silicon N Channel MOS Type]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 760 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TK12P60W的Datasheet PDF文件第5页  
    电气特性
    （大
    =
    25°C)
    特征
    栅极漏电流
    排水截止电流
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    漏源导通电阻
    输入电容
    反向传输电容
    输出电容
    有效输出电容
    栅极电阻
    上升时间
    符号
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    （ BR ） DSS
    V
    th
    R
    DS （ ON）
    C
    国际空间站
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    O（ ER ）
    Rg
    t
    r
    t
    on
    t
    f
    t
    关闭
    Q
    g
    Q
    gs1
    Q
    gd
    dv / dt的
    V
    DD
    = 0 〜400 V，I
    D
    =
    5.8 A
    V
    DD
    ≈
    400 V, V
    GS
    =
    10 V，I
    D
    =
    11.5 A
    税
    ≤
    1%, t
    w
    =
    10
    µs
    V
    DS
    =
    0〜 400 V ，V
    GS
    =
    0 V
    V
    DS
    =
    OPEN ， F = 1MHz的
    10 V
    V
    GS
    0V
    10
    Ω
    I
    D
    =
    5.8 A
    V
    OUT
    V
    DS
    =
    300 V, V
    GS
    =
    0 V，F
    =
    1兆赫
    测试条件
    V
    GS
    = ±30
    V, V
    DS
    =
    0 V
    V
    DS
    =
    600 V, V
    GS
    =
    0 V
    I
    D
    =
    10毫安，V
    GS
    =
    0 V
    V
    DS
    =
    10 V，I
    D
    =
    0.6毫安
    V
    GS
    =
    10 V，I
    D
    =
    5.8 A
    民
    ⎯
    ⎯
    600
    2.7
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    典型值。
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    0.265
    890
    2.8
    23
    41
    6.9
    23
    最大
    ±1
    100
    ⎯
    3.7
    0.30
    ⎯
    ⎯
    pF
    单位
    µA
    µA
    V
    V
    Ω
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    50
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ns
    pF
    Ω
    开启时间
    开关时间
    下降时间
    打开-O FF时间
    总栅极电荷
    栅源charge1
    栅极 - 漏极电荷
    MOSFET关断dv / dt能力
    R
    L
    =
    69
    Ω
    45
    6
    85
    25
    5.5
    11
    ⎯
    V
    DD
    ≈
    400 V
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    V / ns的
    nC
    源极 - 漏极特性
    （大
    =
    25°C)
    特征
    正向电压（二极管）
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    反向恢复电流峰值
    反向二极管dv / dt能力
    符号
    V
    DSF
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    rr
    dv / dt的
    测试条件
    I
    DR
    =
    11.5 A，V
    GS
    =
    0 V
    I
    DR
    =
    11.5 A，V
    GS
    =
    0 V,
    - 二
    DR
    / DT
    =
    100 A / μs的
    I
    DR
    =
    11.5 A，V
    GS
    =
    0 V,
    V
    DD
    = 400 V
    民
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    15
    典型值。
    ⎯
    380
    3.8
    25
    ⎯
    最大
    −1.7
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    ⎯
    单位
    V
    ns
    µC
    A
    V / ns的
    记号
    TK12P60W
    产品型号（或缩写代码）
    LOT号
    2/5
    www.freescale.net.cn

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