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型号: SQ1912EEH
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内容描述: 汽车双N沟道20 V ( DS ) 175 ℃的MOSFET [Automotive Dual N-Channel 20 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 1063 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ1912EEH
汽车双N沟道
20 V ( D- S) 175℃ MOSFET
热额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项:
0.1
0.1
0.05
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
P
DM
0.02
单身
脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
波脉冲持续时间( S)
2.每单位基础= R
thJA
= 220 ° C / W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA (T )
4.
表面
安装
10
100
600
归瞬态热阻抗,结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间( S)
1
10
归瞬态热阻抗,结到脚
•在两个图中示出的特征
- 归瞬态热阻抗结点到环境温度( 25 ° C)
- 归瞬态热阻抗结到脚( 25 ° C)
给出了一般性指导方针仅使得用户能够获得的一部分功能的“球公园”的指示。该数据是从单一萃取
脉冲,从实验测量发达瞬态热阻抗特性。后者是有效的部
安装在印刷电路板 - FR4,尺寸1" 1" X X 0.062" ,双面带2盎司铜,100%在两侧。部分功能
根据实际应用的参数和操作条件可以广泛地变化。
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